通過戰略性地對單層原子一樣薄的材料進行應變， 羅切斯特大學的 科學家們開發出了一種新型計算存儲器，它既快速、密集又低功耗。研究人員在《自然電子》雜志 上發表的 一項研究中概述了他們的新型混合電阻開關 。

該方法是由電氣和計算機工程 以及 物理學助理教授 Stephen M. Wu的實驗室開發的 ，它結合了用于存儲器的兩種現有形式的電阻開關的最佳品質：憶阻器和相變材料。人們已經探索了這兩種形式相對于當今最流行的存儲器形式(包括動態隨機存取存儲器(DRAM)和閃存)的優勢，但也有其缺點。

吳說，憶阻器通過向兩個電極之間的細絲施加電壓來工作，與其他形式的存儲器相比，其可靠性往往相對較低。與此同時，相變材料涉及選擇性地將材料熔化成非晶態或晶態，需要太多的能量。

“我們將憶阻器和相變器件的理念結合起來，超越了這兩種器件的局限性，”吳說。“我們正在制造一種兩端憶阻器器件，它將一種類型的晶體驅動到另一種類型的晶相。這兩種晶相具有不同的電阻，你可以將其作為記憶來講述。”

關鍵是利用二維材料，這些材料可以被拉伸到不穩定地位于兩個不同晶相之間的程度，并且可以用相對較小的功率向任一方向推動。

“我們設計它的方法基本上只是在一個方向上拉伸材料并在另一個方向上壓縮它，”吳說。“通過這樣做，你可以將性能提高幾個數量級。我認為這種技術最終可能會作為一種超快、超高效的內存形式出現在家用電腦中。這可能會對整個計算產生重大影響。”

吳和他的研究生團隊進行了實驗工作，并與羅切斯特 機械工程系的研究人員(包括助理教授 Hesa??m Askari 和 Sobhit Singh)合作，以確定在何處以及如何過濾材料。吳表示，制造相變憶阻器的最大障礙是繼續提高其整體可靠性，但盡管如此，他仍然對團隊迄今為止取得的進展感到鼓舞。